Молекулярно-променева епітаксія, або MBE, є новою технікою для вирощування високоякісних тонких плівок кристалів на кристалічних підкладках.В умовах надвисокого вакууму нагрівальна піч оснащена всіма видами необхідних компонентів і генерує пару, через отвори, утворені після колімації пучка атомного або молекулярного пучка, прямого впорскування до відповідної температури монокристалічної підкладки, контролюючи молекулярний промінь до Одночасне сканування підкладки може змусити молекули або атоми в шарах вирівнювання кристалів утворити тонку плівку на підкладці «зростання».

Для нормальної роботи обладнання MBE необхідно, щоб рідкий азот високої чистоти, низького тиску та надчистий рідкий азот безперервно та стабільно транспортувався до камери охолодження обладнання.Загалом, резервуар, який постачає рідкий азот, має вихідний тиск від 0,3 МПа до 0,8 МПа. Рідкий азот при -196 ℃ легко випаровується в азот під час транспортування по трубопроводу.Коли рідкий азот із співвідношенням газ-рідина приблизно 1:700 газифікується в трубопроводі, він займе велику кількість простору потоку рідкого азоту та зменшить нормальний потік у кінці трубопроводу рідкого азоту.Крім того, в резервуарі для зберігання рідкого азоту, ймовірно, є сміття, яке не було очищено.У трубопроводі рідкого азоту наявність вологого повітря також призведе до утворення крижаного шлаку.Якщо ці домішки потраплять в обладнання, це призведе до непередбачуваного пошкодження обладнання.

Таким чином, рідкий азот у резервуарі для зберігання на відкритому повітрі транспортується до обладнання MBE у цеху без пилу з високою ефективністю, стабільністю та чистотою та низьким тиском, без азоту, без домішок, 24 години без перерви, така система контролю транспортування якісний продукт.