є висококонтрольованим методом відкладення атомних шарів на субстраті, необхідному для отримання напівпровідникових пристроїв, таких як транзистори, лазери та сонячні батареї. Для досягнення високої точності, необхідної в MBE, підтримка стабільних низьких температур є життєво важливим. Рідкий азот часто використовується для цієї мети завдяки надзвичайно низькій температурі кипіння -196 ° C, гарантуючи, що субстрати залишаються при необхідних температурах під час процесу осадження.

Рідкий азот є незамінним у процесах MBE, забезпечуючи послідовний механізм охолодження, який забезпечує осадження, що відбувається без небажаних теплових коливань. Ця стабільність має вирішальне значення для отримання високоякісних напівпровідникових матеріалів, оскільки навіть незначні зміни температури можуть призвести до дефектів або невідповідностей атомних шарів. Використання рідкого азоту допомагає досягти ультра-високих вакуумних умов, необхідних для MBE, запобігаючи забрудненню та забезпечуючи чистоту матеріалів.

є проривом ефективного транспортування рідкого азоту. Ці труби розроблені з вакуумним шаром між двома стінками, значно зменшуючи передачу тепла та підтримуючи кріогенну температуру рідкого азоту, коли він рухається від зберігання до системи MBE. Ця конструкція мінімізує втрату рідкого азоту внаслідок випаровування, забезпечуючи постійне та надійне постачання апарату MBE.